Sviluppo dei dispositivi a stato solido

Nelle seguenti pagine si è cercato di spiegare l'evoluzione e lo sviluppo dei dispositivi a stato solido in un linguaggio narrativo, in modo che il lettore possa, come ci si augura, provare quel senso di organica crescita naturale che caratterizza, per chi scrive, la scienza quanto l'arte. Per una maggiore chiarezza e leggibilità, l'attenzione è stata concentrata sui personaggi più importanti e sulle questioni principali, e in generale ci si è limitati a trattare quelle intuizioni e scoperte che, negli anni, hanno cambiato il volto dell'elettronica dello stato solido. Il tema centrale è il processo che ha portato alla realizzazione del primo dispositivo con effetto transistor, ed il suo sviluppo in termini di prestazioni, dimensioni, consumo e costi realizzativi negli anni a seguire, concetti che difficilmente possono essere trattati separatamente. Una particolare attenzione e` stata data anche ai semiconduttori, i quali hanno avuto naturalmente un ruolo chiave, soprattutto dopo l'invenzione del dispositivo MOSFET. I riferimenti ad eventi e protagonisti dell'evoluzione del "transfer resistor" arrivano fino all'integrazione su larga scala, a cavallo degli anni settanta, questo non perché si ritenga che negli anni successivi sia cessato lo studio o decaduto l'interesse per l'elettronica dello stato solido, bensì perché il particolare sviluppo che si intendeva trattare era in qualche modo giunto a conclusione, in modo particolare se si considera la metrica storica che l'impostazione complessiva di questo elaborato richiedeva. In quegli anni, viste anche le prospettive che i solid-state devices potevano avere (Legge di Moore), l'elettronica dello stato solido era già una realtà che attendeva di migliorarsi.