E' stata studiata la risposta di transistor PMOS e NMOS, in una tecnologia commerciale CHOS 65 nm, ad effetti di total ionizing dose fino a 1Grad (SiO2)
Caratterizzazione pre e post irraggiamento di transistor in tecnologia CMOS 65 nm
Baruffaldi, Filippo
2015/2016
Abstract
E' stata studiata la risposta di transistor PMOS e NMOS, in una tecnologia commerciale CHOS 65 nm, ad effetti di total ionizing dose fino a 1Grad (SiO2)File in questo prodotto:
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https://hdl.handle.net/20.500.12608/20086