Stato dell'arte e prospettive dei transistor a effetto di campo in grafene

Analisi scientifica dei transistor a effetto di campo in grafene. L’elaborato segue lo sviluppo e il percorso di vita in ambito elettronico di questo conosciuto materiale dalle ottime potenzialità a prima vista, ma con diverse criticità e difficoltà nell’impiego. Vengono messi in evidenza i pregi e i difetti del transistor a effetto di campo in grafene (GFET, Graphene Field-Effect Transistor), vedendo come nel corso degli anni la comunità scientifica si è approcciata a quest’ultimi adottando e sviluppando varie soluzioni e metodologie di utilizzo. Inoltre, per comprendere e avere un’idea chiara riguardo alle potenzialità del GFET viene fatto un confronto con il transistor più utilizzato, ovvero il MOSFET di Si mettendo in evidenza le varie differenze. Dopo aver appurato tutte le caratteristiche fondamentali dei GFET e le varie differenze con i suoi competitor è stata fatta una considerazione finale sul possibile futuro sviluppo e utilizzo di questa nuova tecnologia.