Studio di layer stressori superficiali di Germanio-Antimonio per la creazione di ondulatori cristallini

Negli ultimi anni, la ricerca scientifica si è concentrata sullo sviluppo di dispositivi cristallini in grado di indurre oscillazioni periodiche a fasci di particelle cariche attraverso la curvatura dei cristalli. Sfruttando il fenomeno del channeling, questi dispositivi possono impartire una traiettoria periodica ben definita alle particelle cariche, facilitando la generazione di fotoni monocromatici ad alta brillantezza. Tali dispositivi sono noti con il nome di ondulatori cristallini. Questi dispositivi saranno in grado di produrre radiazioni gamma nell'ordine di diversi MeV, superando i limiti attuali imposti dagli ondulatori magnetici. Questa tesi esplora una tecnica all'avanguardia per la fabbricazione di strati di stressori, con particolare attenzione alla sintesi di leghe cristalline di Ge-Sb finalizzate alla curvatura di sottili cristalli di germanio. Lo strato di stressor verrà sintetizzato utilizzando tecniche di sputtering e fusione tramite laser pulsato. Il materiale sarà caratterizzato attraverso tecniche di analisi della superficie al fine di determinare le sue proprietà e la sua applicabilità per la produzione degli ondulatori cristallini. Queste analisi valuteranno la composizione del materiale, la qualità cristallina e la sua capacità di indurre tensione nel materiale sottostante, determinandone infine l'idoneità alla creazione di ondulatori cristallini.