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Lauree magistrali 2022 Analysis of High Electron Mobility Transistors for 5G communications, based on GaN with different epitaxial substrates Analysis of High Electron Mobility Transistors for 5G communications, based on GaN with different epitaxial substrates DE PIERI, FRANCESCO
Lauree magistrali 2013 Caratterizzazione e affidabilità di laser in GaN ad elevata efficienza - Carraro, Simone
Lauree specialistiche 2010 Caratterizzazione e affidabilità di LED verdi InGaN sottoposti a stress in polarizzazione diretta - Valdegamberi, Enrico
Lauree magistrali 2011 Caratterizzazione e studio di affidabilità di LED bianchi ad alta efficienza per applicazioni di backlighting - Sterchele, Michael
Lauree specialistiche 2010 Caratterizzazione elettrica e ottica di dispositivi in GaN con emissione nel blu e profondo ultravioletto - De Santi, Carlo
Lauree specialistiche 2010 Caratterizzazione termica di lampade a LED per illuminazione civile - Manfrini, Andrea
Lauree specialistiche 2010 Characterization and reliability of advanced GaN-LED structures: LEDs on silicon and DEEP-UV LEDs - Barbisan, Diego
Lauree specialistiche 2010 Characterization and reliability of blue and white GaN-based LEDs submitted to current and thermal stress - Bugno, Paolo
Lauree magistrali 2012 Characterization and reliability of GaN Laser Diodes emitting in the blue, skyblue and violet visible regions - Bugno, Alessandro
Lauree magistrali 2014 Design and characterization of a led system with active regulation of the color temperature - Durigon, Luca
Lauree specialistiche 2010 Design, test e realizzazione di ricevitori solari per sistemi fotovoltaici a concentrazione - Mos, Marco
Lauree magistrali 2012 Development and characterization of a high CRI LED lamp - Meneghesso, Matteo
Lauree magistrali 2020 Experimental characterization of sub 0.15 µm-gate In(Ga)AlN/GaN HEMTs adopting Fe compensation or double heterojunction for carrier confinement Experimental characterization of sub 0.15 µm-gate In(Ga)AlN/GaN HEMTs adopting Fe compensation or double heterojunction for carrier confinement TONELLO, ANDREA
Lauree specialistiche 2010 Gallium nitride simulations using Sentaurus software - De Brida, Christian
Lauree magistrali 2012 Influenza del coefficiente di ricombinazione non radiativa sulle prestazioni elettriche ed ottiche di LED in InGaN/GaN - Zambon, Alessandro
Lauree magistrali 2014 Interconnect Reliability of LED-Based Printed Circuit Assemblies - Montoncelli, Mattia
Lauree specialistiche 2011 Prestazioni e affidabilità di LED su nitruro di Gallio: dipendenza dalla densità di dislocazioni e dalla struttura geometrica dei dispositivi - Ferretti, Marco
Lauree specialistiche 2010 Prestazioni e degrado di LED ad alta efficienza sottoposti a differenti condizioni di driving - Magro, Stanislao
Lauree magistrali 2012 Progettazione e realizzazione di sistemi di illuminazione LED adattivi - Piragnolo, Michele
Lauree magistrali 2014 Progettazione e sviluppo di un illuminatore LED per la degradazione LID di celle solari - Betti, Marco
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